FZT851QTA, 60V 3W 100@2A,1V 6A NPN SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073836583
- Артикул
- FZT851QTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.27
- Серия
- FZT851QTA
- Power Dissipation
- 3Вт
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 400V NPN Med PWR 100mA 200mV 20A
Технические параметры
| Вес, г | 0.27 |
| Серия | FZT851QTA |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 25hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Continuous Collector Current | 6А |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| DC Усиление Тока hFE | 25hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 130МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |