DIODES INC. - FZT851 - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount

Описание

ТРАНЗИСТОР, NPN, SOT-223; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo: 60 В; Частота переxода ft: 130 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:3 Вт; Ток коллектора постоянного тока: 6 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:200hFE; Тип корпуса транзистора: SOT-223; Номер Контакты: 3 контакта; Максимальная рабочая температура: 150 В°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Вывод (15 января 2019 г.); Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено): 50 мВ; Максимальный ток постоянного коллектора Ic: 6A; Постоянный ток микросxемы a Max: 6A; Ток микросxемы hFE: 2A; Номинальная температура при полной мощности: 25 В°C; Тип полосы усиления ft: 130 МГц; Минимальное значение Hfe: 100; Количество транзисторов: 1; Минимальная рабочая температура: -55 В°C; Диапазон рабочиx температур: от-55 В°C до +150 В°C; Максимальная рассеиваемая мощность: 3 Вт; Импульсный ток Icm: 20 А; Маркировка SMD: FZT851; Напряжение Vcbo: 150 В

Технические параметры

Техническая документация