FZT751TA, Trans GP BJT PNP 60V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001012656
- Артикул
- FZT751TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- FZT751
- Pin Count
- 3+Tab
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 82,50 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PNP-транзисторы общего назначения, более 1,5А, включая диоды
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | FZT751 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.7мм |
| Technology: | Si |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 1.65мм |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7мм |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Размеры | 1.65 x 6.7 x 3.7мм |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Gain Bandwidth Product fT: | 140 MHz |
| Производитель | DiodesZetex |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Maximum Operating Frequency | 140 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 3A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | -3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Тип транзистора | PNP |
| Число контактов | 3 + Tab |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 450 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальная рабочая частота | 140 MHz |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40…300 |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 80 |