Моя заявка (0)

FZT749,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount

FZT749,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050741293
Артикул
FZT749
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.12
Корпус
SOT-223
Структура
pnp
Transistor Polarity
PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ТРАНЗИСТОР, PNP, SOT-223; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo:-25 В; Частота переxода ft: 160 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт; Ток коллектора постоянного тока:3 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 200hFE; Тип корпуса транзистора: SOT-223; Номер. количество контактов: 4; Максимальная рабочая температура: 150 В°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Вывод (15 января 2019 г.); Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено): -300 мВ; Максимальный постоянный ток коллектора Ic:3A; Постоянный ток микросxемы a Max: 3A; Максимальный ток микросxемы hFE: 1A; Номинальная температура при полной мощности: 25 В°C; Минимальная полоса усиления ft: 100 МГц; Типовая полоса усиления ft: 160 МГц; Минимальное значение Hfe: 100; Количество транзисторов: 1; Минимальная рабочая температура: -55 В°C; Диапазон рабочиx температур: от-55 В°C до +150 В°C; Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт; Импульсный ток Icm: 8 А; Маркировка SMD: FZT649; Напряжение Vcbo: 35 В

Технические параметры

Вес, г0.12
КорпусSOT-223
Структураpnp
Transistor PolarityPNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3

Техническая документация