FZT696BTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 180 V, 500 mA, 2 W, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8474469864
- Артикул
- FZT696BTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.55mm
- Pin Count
- 3+Tab
- Вес, г
- 0.112
- Длина:
- 6.7 mm
Цена по запросу
(от 186 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt
Технические параметры
| Width | 3.55mm |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.112 |
| Длина: | 6.7 mm |
| Серия: | FZT696 |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Высота: | 1.65 mm |
| Ширина: | 3.7 mm |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 150 |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | SOT-223-4 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 0.1µA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 180 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 500 mA |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 0.9 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.25 V |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 180 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 180 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 250 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 500 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 150 at 200 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 130 MHz |