FZT692BTA, Транзистор биполярный NPN 70В 2A SOT-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070813814
- Артикул
- FZT692BTA
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 75,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания "Транзисторы Дарлингтона, Диоды Инк."
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.7мм |
| Серия | FZT692 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1.65мм |
| Ширина | 3.7мм |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Package Width | 3.5 |
| Package Height | 1.6 |
| Package Length | 6.5 |
| Размеры | 6.7 x 3.7 x 1.65мм |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Minimum DC Current Gain | 400@500mA@2V|150@1A@2V|500@100mA@2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Производитель | DiodesZetex |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Тип транзистора | NPN |
| Число контактов | 3 + Tab |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 70 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 70 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9@10mA@1A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.15@0.5mA@0.1A|0.5@10mA@1A|0.5@200mA@2A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 70 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 2 A |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 70 V |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 70 В |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 70 В |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 150W |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 at 1 A, 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |