Моя заявка (0)
FZT689BTA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Gain & Crnt

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004585524
Артикул
FZT689BTA
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3+Tab
Вес, г
0.11
Длина
6.7 mm
Серия
FZT689
Цена по запросу
(от 122,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt

Технические параметры

Pin Count3+Tab
Вес, г0.11
Длина6.7 mm
СерияFZT689
Package TypeSOT-223(SC-73)
Высота1.65 mm
Ширина3.7 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain500
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Maximum DC Collector Current3 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage20 V
Maximum Collector Emitter Voltage20 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Максимальный постоянный ток коллектора8 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.150
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)150 at 6 A, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация