FZT655TA, Trans GP BJT NPN 150V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001097353
- Артикул
- FZT655TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT223
- Mounting
- SMD
- Frequency
- 30MHz
- Вес, г
- 0.39
Цена по запросу
(от 52 ₽)
Минимальный заказ: 580 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 30MHz |
| Вес, г | 0.39 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | FZT655 |
| Power - Max | 2 W |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Polarisation | bipolar |
| Высота | 1.65 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | NPN |
| Collector current | 1A |
| Power dissipation | 3W |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 150V |
| Transition Frequency (fT) | 30MHz |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 50@500mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 5V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 150V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@200mA, 1A |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 180 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 50 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A, |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |