FZT653TA, Trans GP BJT NPN 100V 2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001117820
- Артикул
- FZT653TA
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Type
- NPN
- Вид
- NPN
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 120В, 2А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| Вид | NPN |
| Тип | биполярный |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Enclosure | SOT-223 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.39 |
| Длина | 6.7мм |
| Серия | FZT653 |
| Min DC gain | 100 mA |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.65мм |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7мм |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 3.7(Max) |
| Rated current | 2 A |
| Package Height | 1.65(Max) |
| Package Length | 6.7(Max) |
| Размеры | 1.65 x 6.7 x 3.7мм |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Collector current | 2 A |
| Power dissipation | 3 W |
| Saturation voltage | 500 mV |
| Структура | npn |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Max DC amplification | 300 mA |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT-223 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Minimum DC Current Gain | 25@2A@2V|70@50mA@2V|100@500mA@2V|55@1A@2V |
| Transit frequency fTmin | 175 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Производитель | DiodesZetex |
| Maximum Operating Frequency | 175 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | 2A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Тип транзистора | NPN |
| Число контактов | 3 + Tab |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 120 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 175(Typ) |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 100V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.25@100mA@1A |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 120 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальная рабочая частота | 175 МГц |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 2 A |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 120 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.23 V |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 100 В |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 25 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |