Diodes Inc FZT651TA NPN Transistor, 3 A, 60 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014599705
- Артикул
- FZT651TA
- Бренд
- DIODES INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 3.7 mm(Max)
- Height
- 1.65 mm(Max)
Цена по запросу
(от 71 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 3А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 3.7 mm(Max) |
| Height | 1.65 mm(Max) |
| Length | 6.7 mm(Max) |
| Series | FZT651 |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.15 |
| Длина | 6.55мм |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.65мм |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.55мм |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Размеры | 1.65 x 6.55 x 3.55мм |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product fT | 175 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Производитель | DiodesZetex |
| Maximum Operating Frequency | 175 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Continuous Collector Current | 3 A |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Тип транзистора | NPN |
| Число контактов | 3 + Tab |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.43 V |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальная рабочая частота | 175 МГц |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40 |