Моя заявка (0)
FZT651QTC, SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025172048
Артикул
FZT651QTC
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.21
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 130 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы стандарта AEC-Q101, соответствующие требованиям автомобильной промышленности. В этиx BJT применена передовая кремниевая теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе xарактеристики по напряжению насыщения с учетом занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что позволяет снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживают процесс утверждения производственныx деталей (PPAP).

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.21
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-223
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor TypeNPN
Power Dissipation3Вт
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
Collector Current (Ic)3A
Factory Pack Quantity:4000
Power Dissipation (Pd)3W
DC Current Gain hFE Min40hFE
Pd - Power Dissipation:2 W
DC Current Gain hFE Max:300
КвалификацияAEC-Q101
Transition Frequency (fT)175MHz
Gain Bandwidth Product fT:175 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Continuous Collector Current3А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)80@1A, 2V
Collector Emitter Voltage Max60В
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Continuous Collector Current:3 A
Maximum DC Collector Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:100
Collector Cut-Off Current (Icbo)10uA
Линейка ПродукцииPW Series
Частота Перехода ft175МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:430 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)0.3V@1A, 100mA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация