FZT651QTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016819891
- Артикул
- FZT651QTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT223
- Military
- No
- Mounting
- SMD
- Frequency
- 175MHz
Цена по запросу
(от 207 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Military | No |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 175MHz |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 112 |
| Application | automotive industry |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Polarisation | bipolar |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Kind of package | reel, tape |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Collector current | 3A |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT-223 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| Minimum DC Current Gain | 100@500mA@2VI80@1A@2VI40@2A@2VI70@50mA@2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 60V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 |
| Линейка Продукции | - |
| Maximum DC Collector Current - (A) | 3 |
| Maximum Emitter Base Voltage - (V) | 7 |
| Частота Перехода ft | 175МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Collector Base Voltage - (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency - (MHz) | 175(Typ) |
| Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 60 |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.43 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |