Моя заявка (0)

FZT649TA, 100nA 25V 2W 50@6A,2V 3A 240MHz 400mV@3A,300mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT

FZT649TA, 100nA 25V 2W 50@6A,2V 3A 240MHz 400mV@3A,300mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017592993
Артикул
FZT649TA
Бренд
DIODES INC.
Tab
Tab
PPAP
No
Type
NPN
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 50,49 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT NPN 25V 3A 3000 МВт 4-контактный(3+Tab) SOT-223 T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
TypeNPN
EU RoHSCompliant with Exemption
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3+Tab
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г5
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
ConfigurationSingle Dual Collector
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageSOT-223
Структураnpn
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain100
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2 W
Maximum Operating Frequency240 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current3 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage35 V
Maximum Power Dissipation (mW)3000
Maximum DC Collector Current (A)3
Maximum Emitter Base Voltage (V)7
Maximum Collector Emitter Voltage25 V
Maximum Collector Base Voltage (V)35
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)25
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1.25@100mA@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.3@100mA@1A|0.6@200mA@2A
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц240

Техническая документация