Моя заявка (0)

Diodes Inc FZT605TA NPN Darlington Transistor, 1.5 A 120 V HFE:500, 3 + Tab-Pin SOT-223

Diodes Inc FZT605TA NPN Darlington Transistor, 1.5 A 120 V HFE:500, 3 + Tab-Pin SOT-223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014599707
Артикул
FZT605TA
Бренд
DIODES INC.
Brand
Diodes Incorporated
Width
3.7mm
Brand:
Diodes Incorporated
Series
FZT605
Цена по запросу
(от 77 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 120В, 1,5А, 1,2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

BrandDiodes Incorporated
Width3.7mm
Brand:Diodes Incorporated
SeriesFZT605
Series:FZT605
PackagingCut Tape or Reel
Pin Count3+Tab
Вес, г1
Длина6.7мм
SubcategoryTransistors
ManufacturerDiodes Incorporated
Package TypeSOT-223
Product TypeDarlington Transistors
Subcategory:Transistors
Высота1.65мм
КорпусSOT223-4
Ширина3.7мм
ConfigurationSingle Dual Collector
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:Darlington Transistors
Configuration:Single Dual Collector
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-223
Размеры6.7 x 3.7 x 1.65мм
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223
Transistor TypeNPN
Product CategoryDarlington Transistors
Product Category:Darlington Transistors
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity1000
Тип корпусаSOT-223
Тип монтажаSurface Mount
Pd - Power Dissipation2 W
Minimum DC Current Gain500
Pd - Power Dissipation:2 W
Transistor ConfigurationSingle
Emitter- Base Voltage VEBO10 V
ПроизводительDiodesZetex
Emitter- Base Voltage VEBO:10 V
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO140 V
Continuous Collector Current1.5 A
Maximum DC Collector Current1.5 A
Maximum Emitter Base Voltage10 V
Collector- Base Voltage VCBO:140 V
Continuous Collector Current:1.5 A
Maximum DC Collector Current:1.5 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Тип транзистораNPN
Число контактов3 + Tab
DC Collector/Base Gain Hfe Min500, 2000, 5000
Maximum Collector Base Voltage140 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:500, 2000, 5000
Maximum Collector Cut-off Current0.00001mA
Maximum Collector Emitter Voltage120 V
Maximum Collector Cut-off Current:10 nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max120 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:120 V
Maximum Continuous Collector Current1.5 A
Maximum Base Emitter Saturation Voltage1.8 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Количество элементов на ИС1
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальное напряжение эмиттер-база10 V
Максимальное напряжение коллектор-база140 V
Максимальный запирающий ток коллектора0.00001mA
Максимальный непрерывный ток коллектора1,5 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)120 V
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер1.8 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер1,5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току500

Техническая документация