Моя заявка (0)

FZT593TA, Транзистор биполярный BJT 100 нА 100 В 1,2 Вт 100 при 500 мА, 5 В 1 А 50 МГц 300 мВ при 500 мА, 50 мА PNP -55°C+150°C@(Tj) SOT-223

FZT593TA, Транзистор биполярный BJT 100 нА 100 В 1,2 Вт 100 при 500 мА, 5 В 1 А 50 МГц 300 мВ при 500 мА, 50 мА PNP -55°C+150°C@(Tj) SOT-223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017630719
Артикул
FZT593TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Длина
6.7 mm
Серия
FZT593
Высота
1.65 mm
Цена по запросу
(от 54 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power

Технические параметры

Вес, г1
Длина6.7 mm
СерияFZT593
Высота1.65 mm
КорпусSOT-223
Ширина3.7 mm
Power Dissipation3Вт
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min50hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Continuous Collector Current1А
Collector Emitter Voltage Max100В
DC Усиление Тока hFE50hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft50МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2 W
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)120 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)50 MHz

Техническая документация