FZT558TA, Trans GP BJT PNP 400V 0.2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001010945
- Артикул
- FZT558TA
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.75
- Tab
- Tab
- Case
- SOT223
- Type
- PNP
Цена по запросу
(от 63 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Tab | Tab |
| Case | SOT223 |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Frequency | 50MHz |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Серия | FZT558 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Current gain | 100…300 |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Polarisation | bipolar |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 3.5 |
| Package Height | 1.6 |
| Package Length | 6.5 |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Collector current | 0.2A |
| Power dissipation | 2W |
| Type of transistor | PNP |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 400V |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | -200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 400 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -400 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 400 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 400 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9@5mA@50mA |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@2mA@20mA|0.5@6mA@50mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 400 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |