FZT491TA, Trans GP BJT NPN 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001011209
- Артикул
- FZT491TA
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.75
- Tab
- Tab
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 620 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | FZT491 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-223 |
| Высота | 1.65 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 3.5 |
| Package Height | 1.6 |
| Package Length | 6.5 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
| Minimum DC Current Gain | 30@2A@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|100@1mA@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Continuous Collector Current | 1А |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| DC Усиление Тока hFE | 80hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Линейка Продукции | - |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Частота Перехода ft | 150МГц |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@100mA@1A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@100mA@1A|0.25@50mA@500mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 160 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |