FZT491ATA, Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 1А, 3Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043844089
- Артикул
- FZT491ATA
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 75,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 1А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.18 |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Серия | FZT491 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 35 2A 5V|200 1A 5V|300 500mA 5V|300 1mA 5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 40 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1 100mA 1A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5 100mA 1A|0.3 50mA 500mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 1 mA at 5 V, 300 at 500 mA at 5 V, 200 at 1 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |