FZT489TA, Trans GP BJT NPN 30V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001007131
- Артикул
- FZT489TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3000 МВт 4-контактный(3+Tab) SOT-223 T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Серия | FZT489 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 100@1mA@2V|100@1A@2V|60@2A@2V|20@4A@2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@100mA@1A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@100mA@1A|0.6@200mA@2A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |