FZT1149ATA, Trans GP BJT PNP 25V 4A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8483469484
- Артикул
- FZT1149ATA
- Бренд
- DIODES INC.
- Pin Count
- 3+Tab
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.7 mm
- Серия
- FZT114
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Минимальный заказ: 460 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PNP-транзисторы общего назначения, более 1,5А, включая диоды
Технические параметры
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | FZT114 |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.65 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Maximum Operating Frequency | 135 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | -4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -25 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 230 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 195 at 2 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 135 MHz |