FZT1147ATA, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017109970
- Артикул
- FZT1147ATA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.001
- Длина
- 6.7 mm (Max)
- Серия
- FZT114
- Высота
- 1.65 mm (Max)
Цена по запросу
(от 182 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP -12V VCEO 5A High Gain Med PWR
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Серия | FZT114 |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 150hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Continuous Collector Current | 5А |
| Collector Emitter Voltage Max | 12В |
| DC Усиление Тока hFE | 150hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 115МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 10 mA at 2 V, 250 at 0.5 A at 2 V, 200 at 2 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 115 MHz |