Моя заявка (0)
FZT1053ATA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Gain & Crnt

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004841702
Артикул
FZT1053ATA
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Вес, г
0.11
Цена по запросу
(от 120,25 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 75В, 4,5А, 1,2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Вес, г0.11
Длина6.7 mm (Max)
СерияFZT105
Power - Max2.5W
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Affected
Высота1.65 mm (Max)
Ширина3.7 mm (Max)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberFZT1053 ->
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition140MHz
Supplier Device PackageSOT-223
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic440mV @ 200mA, 4.5A
Current - Collector (Ic) (Max)4.5A
Current - Collector Cutoff (Max)10nA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce300 @ 500mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)75V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности2.5 W
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток4.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)150 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.75 V
Максимальный постоянный ток коллектора4.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер440 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.270
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40 at 4.5 A, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)140 MHz

Техническая документация