FZT1051ATA, Транзистор: NPN; биполярный
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062914648
- Артикул
- FZT1051ATA
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Pin Count
- 3+Tab
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.15 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | FZT105 |
| Power - Max | 2.5W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| REACH Status | REACH Affected |
| Высота | 1.65 mm |
| Ширина | 3.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base Product Number | FZT1051 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 155MHz |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W |
| Minimum DC Current Gain | 270 |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Maximum Operating Frequency | 155 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | 5A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 100mA, 5A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Maximum Collector Base Voltage | 150 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 1A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 340 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 290 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 at 10 A, 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 155 MHz |