FZ300R12KE3G, IGBT Modules 1200V 300A SINGLE
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005541737
- Артикул
- FZ300R12KE3G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- N
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
Цена по запросу
(от 22 760 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE
Технические параметры
| RoHS | N |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 341 |
| Длина | 106.4 mm |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Высота | 36.5 mm |
| Ширина | 61.4 mm |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Single |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Mounting Style: | Stud Mount |
| Package / Case: | EUPEC |
| Part # Aliases: | SP000100743 FZ300R12KE3GHOSA1 |
| Упаковка | Tray |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Вид монтажа | Stud |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.45 kW |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | EUPEC |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 480 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1450 W |
| Другие названия товара № | FZ300R12KE3GHOSA1 SP000100743 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 480 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |