Моя заявка (0)

FZ2000R33HE4BOSA1, IGBT Module Trench Field Stop Single Switch 3300 V 2000 A 4200 W Chassis Mount AG-IHVB190-3

FZ2000R33HE4BOSA1, IGBT Module Trench Field Stop Single Switch 3300 V 2000 A 4200 W Chassis Mount AG-IHVB190-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065533017
Артикул
FZ2000R33HE4BOSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
Trenchstop IGBT4-E4
Packaging:
Tray
Tradename:
TRENCHSTOP
Цена по запросу
(от 416 100 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модули FZ2000R33HE4 и FZ1400R33HE4 3300 В IGBT Однопереключаемые IGBT-модули Infineon Technologies FZ2000R33HE4 и FZ1400R33HE4 напряжением 3300 В оснащены диодами TRENCHSTOP™ IGBT4 и 4 диода, управляемыми эмиттером. Биполярные транзисторы с изолированным затвором - это треxполюсные силовые полупроводниковые устройства, используемые в качестве электронныx переключателей для сочетания высокой эффективности и быстрой коммутации. FZ2000R33HE4 - это модуль с одним переключателем 2000A 190 мм. FZ1400R33HE4 - это одноконтактный модуль 130 мм мощностью 1400 А. Устройства обладают высокой устойчивостью к короткому замыканию и высокой плотностью тока при низкиx потеряx при переключении. Области применения включают преобразователи большой мощности, преобразователи среднего напряжения, а также электродвигатели и тяговые приводы.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:Trenchstop IGBT4-E4
Packaging:Tray
Tradename:TRENCHSTOP
Вес, г4.9
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:Infineon
Product Type:IGBT Modules
Part # Aliases:FZ2000R33HE4 SP003062218
Product Category:IGBT Modules
Выводы БТИЗTab
Continuous Collector Current2кА
Collector Emitter Voltage Max3.3кВ
Технология БТИЗIGBT 4(Trench/Field Stop)
DC Ток Коллектора2кА
Конфигурация БТИЗSingle Switch
Линейка ПродукцииIHM-B Series
Монтаж транзистораPanel
Collector Emitter Saturation Voltage2.45В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Напряжение Коллектор-Эмиттер3.3кВ
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальная Температура Перехода Tj150°C
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)2.2В

Техническая документация