Моя заявка (0)

FW344A-TL-2W, Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R

FW344A-TL-2W, Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002234119
Артикул
FW344A-TL-2W
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Material
Si
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 75 ₽)
Минимальный заказ: 1244 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N/P-CH Si 30 В 4,5 А/3,5 А с 8-контактным разъемом SOIC T/R

Технические параметры

PPAPNo
MaterialSi
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN|P
ConfigurationDual Dual Drain
Package Width3.9 mm
Package Length4.9 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOIC
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSO
Typical Fall Time (ns)10@N Channel|24@P Channel
Typical Rise Time (ns)21@N Channel|34@P Channel
Особенностикомплементарная пара транзисторов
Number of Elements per Chip2
Maximum Power Dissipation (mW)1700
Typical Gate Charge @ 10V (nC)5.6@N Channel|5@P Channel
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)5.6@10V@N Channel|5@10V@P Channel
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)6@N Channel|5.4@P Channel
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)20@N Channel|28@P Channel
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)4.5@N Channel|3.5@P Channel
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)280@10V@N Channel|250@10V@P Channel
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)64@10V@N Channel|102@10V@P Channel
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)10000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А344
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация