Моя заявка (0)
FW276-TL-2H, Trans MOSFET N-CH 450V 0.7A 8-Pin SOIC T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043401974
Артикул
FW276-TL-2H
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 701 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 450V 0.7A с 8-контактным разъемом SOIC T/R

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationDual Dual Drain
Package Width3.9 mm
Package Length4.9 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOIC
Maximum IDSS (uA)100
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)46
Typical Rise Time (ns)10
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip2
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)3.7
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)3.7@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)7
Maximum Drain-Source Voltage (V)450
Typical Turn-Off Delay Time (ns)15
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)55@20V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)12100@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)10000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В450
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация