FU120N-VB, Транзистор MOSFETs 100V 12A 220m-@10V,12A N Channel TO-251
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017568789
- Артикул
- FU120N-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.75
- Структура
- N-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- -
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100В 12А 220 Мом при 10 В, 12А N-канальные МОП-транзисторы TO-251 ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.75 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@10V, 12A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 220mΩ@10V, 12A |