FS660R08A6P2FBBPSA1, IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 450 A, 1.1 V, 1.053 kW, 175 °C, Module
![FS660R08A6P2FBBPSA1, IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 450 A, 1.1 V, 1.053 kW, 175 °C, Module](https://static.epl-electro.ru/lib/826/DOC044826153.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017247140
- Артикул
- FS660R08A6P2FBBPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 867.7
- Серия
- IGBT EDT2
- Продукт
- IGBT Silicon Modules
- Упаковка
- Tray
Цена по запросу
(от 82 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE
Технические параметры
| Вес, г | 867.7 |
| Серия | IGBT EDT2 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tray |
| Power Dissipation | 1.053кВт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | 6-Pack |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Continuous Collector Current | 450А |
| Collector Emitter Voltage Max | 750В |
| Технология БТИЗ | IGBT EDT2(Trench/Field Stop) |
| DC Ток Коллектора | 450А |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
| Линейка Продукции | HybridPACK |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.1В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.053кВт |
| Pd - рассеивание мощности | 1053 W |
| Другие названия товара № | FS660R08A6P2FB SP001632426 |
| Коммерческое обозначение | HybridPACK |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Размер фабричной упаковки | 6 |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 750В |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 450 A |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 750 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.1 V |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.1В |