Моя заявка (0)

FS55MR12W1M1H_B11 Type N-Channel MOSFET, 15 A, 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY1B FS55MR12W1M1HB11NPSA1

FS55MR12W1M1H_B11 Type N-Channel MOSFET, 15 A, 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY1B FS55MR12W1M1HB11NPSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014778372
Артикул
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
AG-EASY1B
Mounting Type
Screw Mount
Цена по запросу
(от 13 914,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модуль Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 1B 1200 В / 55 Мом sixpack с МОП-транзистором CoolSiC™ с усовершенствованными контактными теxнологиями generation 1, NTC и PressFIT.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeAG-EASY1B
Mounting TypeScrew Mount
Power Dissipation20мВт
СтруктураN-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Drain Source On State Resistance0.0529Ом
Maximum Continuous Drain Current15 A
Линейка ПродукцииEasyPACK CoolsiC Series
Количество Выводов23вывод(-ов)
Непрерывный Ток Стока15А
Пороговое Напряжение Vgs4.3В
Напряжение Измерения Rds(on)18В
Напряжение Истока-стока Vds1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Конфигурация МОП-транзистораSixPack
Максимальная Рабочая Температура125°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0529 Ом

Техническая документация