FS13MR12W2M1H_C55 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 1200 V Enhancement EasyPACK FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801769
- Артикул
- FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Material
- SiC
- Mounting
- Screw
- Packaging
- Tray
Цена по запросу
(от 113 000 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET N-CH SiC 1,2 кВ 50А с 38-контактным лотком
Технические параметры
| PPAP | No |
| Material | SiC |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 38 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 38 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Hex |
| Package Width | 56.7 |
| Package Length | 62.8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 34 |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 6 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 200@18V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 58 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 1200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 114 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6050@800V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 11.7(Typ)@18V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |