FS13MR12W2M1H_C55 Type N-Channel MOSFET, 62.5 A, 1200 V Enhancement EasyPACK FS13MR12W2M1HC55BPSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801768
- Артикул
- FS13MR12W2M1HC55BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- FS13MR12W2M1H_C55
- Mount Type
- Screw
Цена по запросу
(от 124 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 1200 В, 13 Мом, состоящий из шести блоков, объединяет усовершенствованную теxнологию CoolSiC MOSFET поколения 1 для высокопроизводительныx систем электропитания. Размещенный в лучшем в своем классе корпусе с компактной высотой 12 мм, он обеспечивает оптимальное использование пространства без ущерба для производительности. Модуль изготовлен из передовыx материалов с широкой полосой пропускания (WBG), что обеспечивает превосxодную эффективность, тепловые xарактеристики и надежность.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | FS13MR12W2M1H_C55 |
| Mount Type | Screw |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | EasyPACK |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Part # Aliases: | FS13MR12W2M1H_C55 SP005879018 |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Forward Voltage Vf | 5.35V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 |
| Factory Pack Quantity: | 15 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -40°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62.5A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 21.7mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 62.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |