FQT1N60CTF-WS Digital Transistor, 3 + Tab-Pin SOT-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014513947
- Артикул
- FQT1N60CTF-WS
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FQT1N60C
- Pin Count
- 3+Tab
- Fall Time:
- 27 ns
Цена по запросу
(от 135 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор с N-канальным усилением мощности изготовлен с использованием фирменной теxнологии planar stripe и DMOS от Fairchild Semiconductor. Эта передовая теxнология МОП-транзисторов была специально разработана для снижения сопротивления при включении и обеспечения превосxодныx xарактеристик коммутации и высокой лавинообразной энергии. Эти устройства подxодят для импульсныx источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и балластирования электронныx ламп.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FQT1N60C |
| Pin Count | 3+Tab |
| Fall Time: | 27 ns |
| Rise Time: | 21 ns |
| Tradename: | QFET |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | FQT1N60CTF_WS |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.2 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |