FQPF7P20, MOSFETs 200V P-Channel QFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834689
- Артикул
- FQPF7P20
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.9mm
- Series
- QFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 222,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 200V P-Channel QFET
Технические параметры
| Width | 4.9mm |
| Series | QFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 10.36 mm |
| Серия | FQPF7P20 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Package Type | TO-220F |
| Высота | 16.07 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 45Вт |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 42 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor/Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 690 mΩ |
| Время нарастания | 110 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.54Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.2 A |
| Линейка Продукции | QFET |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Рассеиваемая Мощность | 45Вт |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Другие названия товара № | FQPF7P20_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.2 A |
| Коммерческое обозначение | QFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | 3.5 S |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 690 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.54Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 690 mOhms |