FQPF70N10, Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002308298
- Артикул
- FQPF70N10
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- QFET
Цена по запросу
(от 700 ₽)
Минимальный заказ: 44 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | QFET |
| Series: | FQPF70N10 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 160 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 470 ns |
| Tradename: | QFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220F |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | FQPF70N10_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 62Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 62 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 62 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 23 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.019Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Линейка Продукции | QFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Рассеиваемая Мощность | 62Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.019Ом |