FQPF6N80C, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,2А, 51Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015580743
- Артикул
- FQPF6N80C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 2
- Длина
- 10.36 mm
- Серия
- FQPF6N80C
Цена по запросу
(от 640 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,2А, 51Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 10.36 mm |
| Серия | FQPF6N80C |
| Высота | 16.07 mm |
| Корпус | to220 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 44 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 65 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 51 W |
| Другие названия товара № | FQPF6N80C_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
| Коммерческое обозначение | QFET |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 47 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.4 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 51 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |