FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220] [EOL]
![FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000180502
- Артикул
- FQPF5N60C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220F
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 4V@250uA
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N, TO-220F; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 4,5 А; Напряжение источника стока Vds: 600 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 2,5 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 33 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220F; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL:-; SVHC: Вывод (27 июня 2018 г.); Максимальный ток: 4,5А; Количество Транзисторов:1; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +150°C; Импульсный ток Idm: 18 А; Тип подключения: Сквозное отверстие; Тип напряжения Vds: 600 В; Максимальное напряжение Vgs: 30 В; Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220F |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 Ом/2.25А, 10В |