FQPF2N80, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074058396
- Артикул
- FQPF2N80
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.7mm
- Series
- QFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 379 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 800V N-Channel QFET
Технические параметры
| Width | 4.7mm |
| Series | QFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 10.36 mm |
| Серия | FQPF2N80 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220F |
| Высота | 16.07 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 28 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.3 Ω |
| Время нарастания | 30 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| Коммерческое обозначение | QFET |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.2 S |