Моя заявка (0)
FQPF2N80, MOSFETs 800V N-Channel QFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004834671
Артикул
FQPF2N80
Бренд
ON Semiconductor***
Width
4.7mm
Series
QFET
Тип
MOSFET
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 275 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 800V N-Channel QFET

Технические параметры

Width4.7mm
SeriesQFET
ТипMOSFET
Pin Count3
Вес, г2.27
Длина10.36 mm
СерияFQPF2N80
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220F
Высота16.07 mm
Ширина4.9 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада28 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation35 W
Typical Gate Charge @ Vgs12 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor/Fairchild
Упаковка / блокTO-220FP-3
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance6.3 Ω
Время нарастания30 ns
Maximum Continuous Drain Current1.5 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности35 W
Id - непрерывный ток утечки1.5 A
Коммерческое обозначениеQFET
Крутизна характеристики, S2.2 S
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток6.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+150 C
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.2.2 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В30 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6.3 Ohms

Техническая документация