FQPF27P06, MOSFETs 60V P-Channel QFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834668
- Артикул
- FQPF27P06
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- QFET
Цена по запросу
(от 249,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | QFET |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 90 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 185 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220FP-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Power Dissipation (Pd) | 47W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 47 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 17A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 47 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |