FQPF19N20C, Транзистор: N-MOSFET; 200В; 12,1А; 43Вт; TO220F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060776484
- Артикул
- FQPF19N20C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO220FP
- Width
- 4.7mm
- Series
- QFET
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 193,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Width | 4.7mm |
| Series | QFET |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | QFET® |
| Вес, г | 2.22 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | TO-220F |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 12.1A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 43W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.17Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 200V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 170 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 19 A |