Моя заявка (0)

FQPF12N60C, Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

FQPF12N60C, Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002308185
Артикул
FQPF12N60C
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 400 ₽)
Минимальный заказ: 216 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 600V 12A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) для подключения к трубке 220FP

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Package Width4.7 mm
Package Length10.16 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220FP
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyDMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)90
Typical Rise Time (ns)85
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)51000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)48
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)48@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)30
Maximum Drain-Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)140
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)12
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1760@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)650@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация