FQP9N90C,Power MOSFET, N Channel, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8763654440
- Артикул
- FQP9N90C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 2.033
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- FQP9N90C
Цена по запросу
(от 800 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 2.033 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | FQP9N90C |
| Высота | 16.3 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 75 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 58 nC |
| Время нарастания | 120 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 205 W |
| Другие названия товара № | FQP9N90C_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | QFET |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9.2 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 205 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.12 Ом |