Моя заявка (0)
FQP9N90C, MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004674005
Артикул
FQP9N90C
Бренд
ON Semiconductor***
Тип
MOSFET
Вес, г
2.05
Длина
10.67 mm
Серия
FQP9N90C
Цена по запросу
(от 466,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 2,8А, 205Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г2.05
Длина10.67 mm
СерияFQP9N90C
Высота16.3 mm
Ширина4.7 mm
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада75 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора58 nC
Время нарастания120 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности205 W
Другие названия товара №FQP9N90C_NL
Id - непрерывный ток утечки8 A
Коммерческое обозначениеQFET
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток900 V
Пороговое напряжение на затворе-8 V, +22 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения100 ns
Типичное время задержки при включении50 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В900
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.9.2 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт205
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация