FQP8N80C,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8406918764
- Артикул
- FQP8N80C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.7mm
- Series
- QFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.8
Цена по запросу
(от 513 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| Width | 4.7mm |
| Series | QFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.8 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 178 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.55 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.29 Ом |