FQP6N90C, Транзистор N-MOSFET 900В 6А [TO-220]
![FQP6N90C, Транзистор N-MOSFET 900В 6А [TO-220]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000201814
- Артикул
- FQP6N90C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.7
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 4V@250uA
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N, TO-220; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 6A; Напряжение источника стока Vds: 900 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 1,93 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:5 В; Рассеиваемая мощность Pd: 167 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL:-; SVHC: Вывод (27 июня 2018 г.); Максимальный ток: 6A; Текущая температура: 25°C; Внешняя длина / высота: 4,83 мм; Внешняя ширина: 10,67 мм; Номинальная температура при полной мощности: 25°C; Количество транзисторов: 1; Максимальное сопротивление во включенном состоянии: 2,3 Ом; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +150°C; Импульсный ток Idm: 24A; Тип подключения: Сквозное отверстие; Тип напряжения Vds: 900 В; Напряжение Vgs Max: 5 В; Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В; Напряжение Vgs th Max: 5 В
Технические параметры
| Вес, г | 2.7 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3 Ом/3А, 10В |