FQP6N90C, Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002308309
- Артикул
- FQP6N90C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- N
- Packaging
- Rail/Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N, TO-220; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 6A; Напряжение источника стока Vds: 900 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 1,93 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:5 В; Рассеиваемая мощность Pd: 167 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL:-; SVHC: Вывод (27 июня 2018 г.); Максимальный ток: 6A; Текущая температура: 25°C; Внешняя длина / высота: 4,83 мм; Внешняя ширина: 10,67 мм; Номинальная температура при полной мощности: 25°C; Количество транзисторов: 1; Максимальное сопротивление во включенном состоянии: 2,3 Ом; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +150°C; Импульсный ток Idm: 24A; Тип подключения: Сквозное отверстие; Тип напряжения Vds: 900 В; Напряжение Vgs Max: 5 В; Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В; Напряжение Vgs th Max: 5 В
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | TO-220 |
| Rad Hardened | No |
| Power Dissipation | 167(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Drain-Source On-Volt | 900(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Power Dissipation (Pd) | 167W |
| Continuous Drain Current | 6(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±30(V) |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Operating Temperature Classification | Military |