FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220]
![FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000313276
- Артикул
- FQP6N80C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 4V@250uA
Цена по запросу
(от 246 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 158 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 Ом/2.75А, 10В |