FQP55N10, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017549305
- Артикул
- FQP55N10
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 155Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 292,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 155Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.021Ом |
| Линейка Продукции | QFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 55А |
| Рассеиваемая Мощность | 155Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.021Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 155 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |