FQP50N06, Транзистор N-MOSFET 60В 50А 120Вт 0.018Ом [TO-220.]
![FQP50N06, Транзистор N-MOSFET 60В 50А 120Вт 0.018Ом [TO-220.]](https://static.epl-electro.ru/lib/213/DOC001213184.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000020541
- Артикул
- FQP50N06
- Бренд
- Fairchild Semiconductor
- Вес, г
- 2
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- автомобильные приложения
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N, TO-220; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 50 А; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,022 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 120 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 175°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL:-; SVHC: Ведущий (27 июня 2018 г.); Альтернативный тип корпуса: SOT-78B; Максимальный идентификатор тока:50A; Маркировка устройства: FQP50N06; Максимальное сопротивление в включенном состоянии: 22 Мом; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +175°C; Импульсный ток Idm: 200A; Тип напряжения Vds: 60 В; Максимальное напряжение Vgs:4 В; Напряжение Vgs Rds при измерении:10 В; Максимальное напряжение Vgs: 4 В
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Крутизна характеристики, S | 40 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 Ом/25А, 10В |